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超小8型端子低プロファイルスルーホール実装(阻)RM05-8A-SPシリーズリードリレーモジュールは,デュアルインライン(迪勒)ピンアウト(2 mmラスター)および高密度基板実装に適する磁気シールドを装備しています。8チャンネルリレードライバーを装備し,キックバック保護および並列アクティベーション電子回路付きのMAX4823を装備しています。PCBスペースを大幅に削減するために設計されており,弊社のRM05-8Aよりも24%小型で,配線コストおよび組み立てコストを節約できます。
4端子RM05-4Aシリーズは,高周波(RF)リードリレーであり,低プロファイルの表面実装(SMD)リードリレーモジュールです。この射频リードリレーは,高速パルス切り替えのために,5.5 GHz超のスイッチングが40 ps未満の立ち上がり時間で可能です。
汎用是シリーズリードリレーには,最大5個の一接点スイッチを含めて多数の接点構成オプションがあります。ラッチ型または標準値10 ^ 13Ωの高絶縁抵抗型も可能です。パッケージは樹脂製,金属製またはエポキシ封止タイプが可能です。
李シリーズは,高電圧リードリレーおよびエポキシ封止された高絶縁リードリレーです。この高電圧リードリレーは,高絶縁抵抗(IR) > 10 ^ 13Ωという長所があり,最大1 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は4.2 kvdcであり,絶縁電圧は7 kvdcです。UL認定済みです。
このこの泛ラインデュアルデュアルインラインシリーズシリーズリードリレーはコイル抵抗大11,000Ωで,エポキシ绝縁のパッケージで提供れます。绝縁绝縁力4.25kvdcで,ダイオードおよび磁気シールドをオプションでき。
高频シリーズ高周波リードリレーおよび高電圧リードリレーは,5 a@30mhzの電流を通電できます。特別にパッケージされたコイルを装備し,PCBピンはコイル専用です。この高周波リードリレーのスイッチ接点は,直接配線用に使用できます。特許取得済みの外部静電および磁気シールドを装備しています。射频リードリレーの接点間耐電圧は最大9 kvdcです。
Hシリーズ高電圧リードリレーは,最大10 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は15 kvdcです。この高電圧リレーは,特別にパッケージされたコイルで設計され,PCBピンはコイル専用です。スイッチ接点は直接配線用に使用できます。水銀リレーの代替に適しています。
他シリーズ高電圧リードリレーは,最大10 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は15 kvdcです。漏洩距離は26毫米を超えます。この高電圧リレーは,多くのPCBピン構成が可能なエポキシ封止タイプです。オプションには,高電圧リードの直接配線で使用できる高電圧ワイヤーがあります。水銀リレーの代替も可能です。
HMシリーズ高電圧リードリレーは,最大10 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は15 kvdcであり,漏洩距離は32毫米を超えます。この高電圧リレーは,多くのPCBピン構成が可能なエポキシ封止タイプです。オプションには,高電圧リードの直接配線で使用できる高電圧ワイヤーがあります。水銀リレーの代替のほか,ラッチングタイプも可能です。
エポキシ封止BT / BTSシリーズリードリレーは,100%デューティーサイクルで1µV未満の低オフセット電圧を示します。この非常に低い熱電圧は,リードスイッチと最小コイル電力の間の温度バランス最適化により達成しています。半導体デバイスより優れた選択肢です。
超小8型端子低プロファイルスルーホール実装(阻)RM05-8A-SPシリーズリードリレーモジュールは,デュアルインライン(迪勒)ピンアウト(2 mmラスター)および高密度基板実装に適する磁気シールドを装備しています。8チャンネルリレードライバーを装備し,キックバック保護および並列アクティベーション電子回路付きのMAX4823を装備しています。PCBスペースを大幅に削減するために設計されており,弊社のRM05-8Aよりも24%小型で,配線コストおよび組み立てコストを節約できます。
4端子RM05-4Aシリーズは,高周波(RF)リードリレーであり,低プロファイルの表面実装(SMD)リードリレーモジュールです。この射频リードリレーは,高速パルス切り替えのために,5.5 GHz超のスイッチングが40 ps未満の立ち上がり時間で可能です。
汎用是シリーズリードリレーには,最大5個の一接点スイッチを含めて多数の接点構成オプションがあります。ラッチ型または標準値10 ^ 13Ωの高絶縁抵抗型も可能です。パッケージは樹脂製,金属製またはエポキシ封止タイプが可能です。
李シリーズは,高電圧リードリレーおよびエポキシ封止された高絶縁リードリレーです。この高電圧リードリレーは,高絶縁抵抗(IR) > 10 ^ 13Ωという長所があり,最大1 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は4.2 kvdcであり,絶縁電圧は7 kvdcです。UL認定済みです。
このこの泛ラインデュアルデュアルインラインシリーズシリーズリードリレーはコイル抵抗大11,000Ωで,エポキシ绝縁のパッケージで提供れます。绝縁绝縁力4.25kvdcで,ダイオードおよび磁気シールドをオプションでき。
高频シリーズ高周波リードリレーおよび高電圧リードリレーは,5 a@30mhzの電流を通電できます。特別にパッケージされたコイルを装備し,PCBピンはコイル専用です。この高周波リードリレーのスイッチ接点は,直接配線用に使用できます。特許取得済みの外部静電および磁気シールドを装備しています。射频リードリレーの接点間耐電圧は最大9 kvdcです。
Hシリーズ高電圧リードリレーは,最大10 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は15 kvdcです。この高電圧リレーは,特別にパッケージされたコイルで設計され,PCBピンはコイル専用です。スイッチ接点は直接配線用に使用できます。水銀リレーの代替に適しています。
他シリーズ高電圧リードリレーは,最大10 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は15 kvdcです。漏洩距離は26毫米を超えます。この高電圧リレーは,多くのPCBピン構成が可能なエポキシ封止タイプです。オプションには,高電圧リードの直接配線で使用できる高電圧ワイヤーがあります。水銀リレーの代替も可能です。
HMシリーズ高電圧リードリレーは,最大10 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は15 kvdcであり,漏洩距離は32毫米を超えます。この高電圧リレーは,多くのPCBピン構成が可能なエポキシ封止タイプです。オプションには,高電圧リードの直接配線で使用できる高電圧ワイヤーがあります。水銀リレーの代替のほか,ラッチングタイプも可能です。
エポキシ封止BT / BTSシリーズリードリレーは,100%デューティーサイクルで1µV未満の低オフセット電圧を示します。この非常に低い熱電圧は,リードスイッチと最小コイル電力の間の温度バランス最適化により達成しています。半導体デバイスより優れた選択肢です。
4端子RM05-4Aシリーズは,高周波(RF)リードリレーであり,低プロファイルの表面実装(SMD)リードリレーモジュールです。この射频リードリレーは,高速パルス切り替えのために,5.5 GHz超のスイッチングが40 ps未満の立ち上がり時間で可能です。
高频シリーズ高周波リードリレーおよび高電圧リードリレーは,5 a@30mhzの電流を通電できます。特別にパッケージされたコイルを装備し,PCBピンはコイル専用です。この高周波リードリレーのスイッチ接点は,直接配線用に使用できます。特許取得済みの外部静電および磁気シールドを装備しています。射频リードリレーの接点間耐電圧は最大9 kvdcです。
汎用是シリーズリードリレーには,最大5個の一接点スイッチを含めて多数の接点構成オプションがあります。ラッチ型または標準値10 ^ 13Ωの高絶縁抵抗型も可能です。パッケージは樹脂製,金属製またはエポキシ封止タイプが可能です。
このこの泛ラインデュアルデュアルインラインシリーズシリーズリードリレーはコイル抵抗大11,000Ωで,エポキシ绝縁のパッケージで提供れます。绝縁绝縁力4.25kvdcで,ダイオードおよび磁気シールドをオプションでき。
汎用是シリーズリードリレーには,最大5個の一接点スイッチを含めて多数の接点構成オプションがあります。ラッチ型または標準値10 ^ 13Ωの高絶縁抵抗型も可能です。パッケージは樹脂製,金属製またはエポキシ封止タイプが可能です。
李シリーズは,高電圧リードリレーおよびエポキシ封止された高絶縁リードリレーです。この高電圧リードリレーは,高絶縁抵抗(IR) > 10 ^ 13Ωという長所があり,最大1 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は4.2 kvdcであり,絶縁電圧は7 kvdcです。UL認定済みです。
Hシリーズ高電圧リードリレーは,最大10 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は15 kvdcです。この高電圧リレーは,特別にパッケージされたコイルで設計され,PCBピンはコイル専用です。スイッチ接点は直接配線用に使用できます。水銀リレーの代替に適しています。
他シリーズ高電圧リードリレーは,最大10 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は15 kvdcです。漏洩距離は26毫米を超えます。この高電圧リレーは,多くのPCBピン構成が可能なエポキシ封止タイプです。オプションには,高電圧リードの直接配線で使用できる高電圧ワイヤーがあります。水銀リレーの代替も可能です。
HMシリーズ高電圧リードリレーは,最大10 kvdcまでスイッチング可能で,接点間耐電圧は15 kvdcであり,漏洩距離は32毫米を超えます。この高電圧リレーは,多くのPCBピン構成が可能なエポキシ封止タイプです。オプションには,高電圧リードの直接配線で使用できる高電圧ワイヤーがあります。水銀リレーの代替のほか,ラッチングタイプも可能です。
エポキシ封止BT / BTSシリーズリードリレーは,100%デューティーサイクルで1µV未満の低オフセット電圧を示します。この非常に低い熱電圧は,リードスイッチと最小コイル電力の間の温度バランス最適化により達成しています。半導体デバイスより優れた選択肢です。
超小8型端子低プロファイルスルーホール実装(阻)RM05-8A-SPシリーズリードリレーモジュールは,デュアルインライン(迪勒)ピンアウト(2 mmラスター)および高密度基板実装に適する磁気シールドを装備しています。8チャンネルリレードライバーを装備し,キックバック保護および並列アクティベーション電子回路付きのMAX4823を装備しています。PCBスペースを大幅に削減するために設計されており,弊社のRM05-8Aよりも24%小型で,配線コストおよび組み立てコストを節約できます。
4端子RM05-4Aシリーズは,高周波(RF)リードリレーであり,低プロファイルの表面実装(SMD)リードリレーモジュールです。この射频リードリレーは,高速パルス切り替えのために,5.5 GHz超のスイッチングが40 ps未満の立ち上がり時間で可能です。
微型522系列光电耦合器,用于固有安全(EXI)电路的电流分离,隔离电压分钟。4kvdc,ctr min。0.5,截止85kHz,ATEX&IECEX认证(18伊克0017 U,Kiwa 18.009 U)。输入/输出绝缘电阻高达10^12 Ω。输入和输出之间的距离,最高安全要求可达12毫米。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。 A photo-diode makes for very short cycle times. Able to invert the output signal during transfer.
保护类型:II (1) G [Ex ia Ga] II C
符合:EN 60079-0, EN 60079-11
525系列光电耦合器,用于固有安全(exi)电路的电流分离,隔离电压分钟。4kvdc,ctr min。0.5,截止50kHz,ATEX&IECEX认证(18 Atex 0017 U,Kiwa 18.009 U)。输入/输出绝缘电阻高达10^12 Ω。输入和输出之间的距离最高的安全要求可达14.5mm。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。 A photo-diode makes for very short cycle times. Able to invert the output signal during transfer.
保护类型:II (1) G [Ex ia Ga] II C
符合:EN 60079-0, EN 60079-11
535系列光电耦合器用于固有安全(EXI)电路的电流分离,隔离电压分钟。4kvdc,ctr min。3.0,截止2kHz,ATEX&IECEX认证(18伊克0017 U,Kiwa 18.009 U)。绝缘电阻输入/输出高达10 ^13Ω。输入和输出之间的距离最高的安全要求可达14.5mm。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。 A photo-diode makes for very short cycle times. Able to invert the output signal during transfer.
保护类型:II (1) G [Ex ia Ga] II C
符合:EN 60079-0, EN 60079-11
567系列光耦用于本安(EXi)电路的电流分离,隔离电压最小4kVDC,截止频率500kHZ, ATEX和IECEx认证(18 ATEX 0017 U, KIWA 18.009 U),输入/输出绝缘电阻高达10^13 Ω。输入和输出之间的距离最高安全要求达14mm。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。光电二极管的周期很短。能够在转换过程中转换输出信号。
保护类型:II (1) G [Ex ia Ga] II C
符合:EN 60079-0, EN 60079-11
微型522系列光电耦合器,用于固有安全(EXI)电路的电流分离,隔离电压分钟。4kvdc,ctr min。0.5,截止85kHz,ATEX&IECEX认证(18伊克0017 U,Kiwa 18.009 U)。输入/输出绝缘电阻高达10^12 Ω。输入和输出之间的距离,最高安全要求可达12毫米。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。 A photo-diode makes for very short cycle times. Able to invert the output signal during transfer.
保护类型:II (1) G [Ex ia Ga] II C
符合:EN 60079-0, EN 60079-11
525系列光电耦合器,用于固有安全(exi)电路的电流分离,隔离电压分钟。4kvdc,ctr min。0.5,截止50kHz,ATEX&IECEX认证(18 Atex 0017 U,Kiwa 18.009 U)。输入/输出绝缘电阻高达10^12 Ω。输入和输出之间的距离最高的安全要求可达14.5mm。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。 A photo-diode makes for very short cycle times. Able to invert the output signal during transfer.
保护类型:II (1) G [Ex ia Ga] II C
符合:EN 60079-0, EN 60079-11
535系列光电耦合器用于固有安全(EXI)电路的电流分离,隔离电压分钟。4kvdc,ctr min。3.0,截止2kHz,ATEX&IECEX认证(18伊克0017 U,Kiwa 18.009 U)。绝缘电阻输入/输出高达10 ^13Ω。输入和输出之间的距离最高的安全要求可达14.5mm。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。 A photo-diode makes for very short cycle times. Able to invert the output signal during transfer.
保护类型:II (1) G [Ex ia Ga] II C
符合:EN 60079-0, EN 60079-11
567系列光耦用于本安(EXi)电路的电流分离,隔离电压最小4kVDC,截止频率500kHZ, ATEX和IECEx认证(18 ATEX 0017 U, KIWA 18.009 U),输入/输出绝缘电阻高达10^13 Ω。输入和输出之间的距离最高安全要求达14mm。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。光电二极管的周期很短。能够在转换过程中转换输出信号。
保护类型:II (1) G [Ex ia Ga] II C
符合:EN 60079-0, EN 60079-11
521系列光电耦合器,用于固有安全电路的电流分离,隔离电压分钟。6kvdc,ctr min。0.5,截止50kHz。绝缘电阻输入/输出高达10 ^13Ω。输入和输出之间的距离最高的安全要求高达24.5mm。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。 A photo-diode makes for very short cycle times. Able to invert the output signal during transfer.
528系列光电耦合器用于内在安全电路的电流分离,隔离电压分钟。10kvdc,ctr min。0.9,截止50kHz。输入/输出绝缘电阻高达10^12 Ω。输入和输出之间的距离,最高安全要求可达42mm。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。 A photo-diode makes for very short cycle times. Able to invert the output signal during transfer.
530-03系列光耦合器用于本质安全电路的电流分离,隔离电压高达20kVDC,最小CTR 0.5(50%),截止50kHZ。输入/输出绝缘电阻高达10^12 Ω。最高安全要求的输入和输出距离最小34mm。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。磁场不会影响操作。光电二极管的周期很短。能够在转换过程中转换输出信号。
530-70系列光耦合器用于固有安全电路的电流分离,隔离电压分钟。22kvdc,ctr min。0.8%,截止100kHz。输入/输出绝缘电阻高达10^12 Ω。最高安全要求的输入和输出之间的距离。39毫米。输入和输出电路之间的电流分离和较小的耦合电容。模拟和数字信号传输是可能的。与继电器相比,输出延迟时间较小。非机械磨损,使用寿命长。 Magnetic fields do not impact operation. A photo-diode makes for very short cycle times. Able to invert the output signal during transfer.
超小8型端子低プロファイルスルーホール実装(阻)RM05-8A-SPシリーズリードリレーモジュールは,デュアルインライン(迪勒)ピンアウト(2 mmラスター)および高密度基板実装に適する磁気シールドを装備しています。8チャンネルリレードライバーを装備し,キックバック保護および並列アクティベーション電子回路付きのMAX4823を装備しています。PCBスペースを大幅に削減するために設計されており,弊社のRM05-8Aよりも24%小型で,配線コストおよび組み立てコストを節約できます。
汎用是シリーズリードリレーには,最大5個の一接点スイッチを含めて多数の接点構成オプションがあります。ラッチ型または標準値10 ^ 13Ωの高絶縁抵抗型も可能です。パッケージは樹脂製,金属製またはエポキシ封止タイプが可能です。
このこの泛ラインデュアルデュアルインラインシリーズシリーズリードリレーはコイル抵抗大11,000Ωで,エポキシ绝縁のパッケージで提供れます。绝縁绝縁力4.25kvdcで,ダイオードおよび磁気シールドをオプションでき。
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