Die SMP-21 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 40 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 13 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-21 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-23 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 250 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 37 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-23 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-30摄影镜片Relais sind halbleiterrelais mit einer schaltleistung von bis zu 400 V Wechselstrom Oder Spitzengleichstrom，Einem Sop（小型外线），SMD（表面安装设备）Oder Dip（Dual in-dual-in-On-On-Online）Gehäuse。Die RelaisverfügenüberEinegeringeausgangskapazitätvon52 pf和einem niedrigen ofstate leckstrom im ausgeschalteten zusten zustan Zustand Zustand Zustand von1μa。Kein Kontaktprellen，Schnelles Schalten，Schmutzundurchlässig，Geräuscharm，SowieStoß-und Evibrationsfest Sind Dabei Die Wichtigsten Merkmale Merkmale und Eigenschaften。Durch den Konstanten on widerstand und die lange lebensdauer eignen sich die smp-30 photo-mosfet relais relais理想fürdie verschiedensten anwendungen。
死SMP-31 Photo-MOSFET座信德Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 350 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-37摄影镜片Relais sind halbleiterrelais mit einer schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom Oder Spitzengleichstrom，einem sop（小型外线），SMD（表面安装设备）ODER DIP（DUAL DIAL）dip（Dual in-On-On-Online）Gehäuse。Die RelaisVerfügenüberEinegeringeausgangskapazitätvon45 pf和einem niedrigen ofstate leckstrom im ausgeschalteten zusten zustan Zustand Zustand Zustand von1μa。Kein Kontaktprellen，Schnelles Schalten，Schmutzundurchlässig，Geräuscharm，SowieStoß-und Evibrationsfest Sind Dabei Die Wichtigsten Merkmale Merkmale und Eigenschaften。Durch den Konstanten on widerstand und die lange lebensdauer eignen sich die smp-37 photo-mosfet relais relais理想fürdie verschiedensten anwendungen。
死SMP-38 Photo-MOSFET座信德Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual In-Line) Gehäuse. Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF und einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA. Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoß- und vibrationsfest sind dabei die wichtigsten Merkmale und Eigenschaften. Durch den konstanten On-Widerstand und die lange Lebensdauer eignen sich die SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen.
Die SMP-47摄影镜片Relais sind halbleiterrelais mit einer schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom Oder Spitzengleichstrom，Einem Sop（小型外线），SMD（表面安装设备）Oder Dip（Dual in-dual-in-On-On-Online）Gehäuse。Die RelaisVerfügenüberEinen Hohen Spitzenlaststrom von 3 a und Einem niedrigen of-State leckstrom im Ausgeschalten Zusten Zustand Zustand Zustand Zustand von1μa。Kein Kontaktprellen，Schnelles Schalten，Schmutzundurchlässig，Geräuscharm，SowieStoß-und Evibrationsfest Sind Dabei Die Wichtigsten Merkmale Merkmale und Eigenschaften。Durch den Konstanten on widerstand und die lange lebensdauer eignen sich die smp-47 photo-mosfet relais relais理想fürdie verschiedensten anwendungen。
DIE SMP-74照片MoSfet Relais Sind halbleiterrelais mit Einer schaltleistung von bis Zu 400 V Wechselstrom Oder Spitzengleichstrom，Einem Sop（小型外线），SMD（表面安装设备）Oder Dip（Dual in-On-Online）Gehäuse。Die RelaisverfügenüberEinegeringeausgangskapazitätvonvon 1.3 pf和einem niedrigen ofstate leckstrom im ausgeschalteten zusten zustan Zustand Zustand Zustand von1μa。Kein Kontaktprellen，Schnelles Schalten，Schmutzundurchlässig，Geräuscharm，SowieStoß-und Evibrationsfest Sind Dabei Die Wichtigsten Merkmale Merkmale und Eigenschaften。Durch den Konstanten on widerstand und die lange lebensdauer eignen sich die smp-74 photo-mosfet relais relais理想fürdie verschiedensten anwendungen。
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