高压>600V |

SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line)， SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-40 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 1500v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 83 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-40 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。