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SMP-21 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 40 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 13 pF和einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-21 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-23 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 250 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 37 pF和einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-23 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 400v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 35v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-36 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。我们的名字是verfügen über einen hohenspitzenlaststrom von 6和einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-36 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-40 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 1500v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 83 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-40 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。我们的网站是verfügen über einen hohenspitzenlaststrom von 3 A and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 400v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

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SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 400v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 35v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-36 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。我们的名字是verfügen über einen hohenspitzenlaststrom von 6和einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-36 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-40 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 1500v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 83 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-40 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。我们的网站是verfügen über einen hohenspitzenlaststrom von 3 A and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 400v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

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SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 400v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 35v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 400v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

高电流> 1

SMP-36 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。我们的名字是verfügen über einen hohenspitzenlaststrom von 6和einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-36 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。我们的网站是verfügen über einen hohenspitzenlaststrom von 3 A and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

高电压600 v >

SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-40 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 1500v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 83 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-40 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

低电容

SMP-21 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 40 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 13 pF和einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-21 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-23 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 250 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 37 pF和einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-23 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMD

SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 400v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 35v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-36 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。我们的名字是verfügen über einen hohenspitzenlaststrom von 6和einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-36 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-40 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 1500v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom in einem SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 83 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-40 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。我们的网站是verfügen über einen hohenspitzenlaststrom von 3 A and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 400v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SOP

SMP-21 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 40 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 13 pF和einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-21 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-23 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 250 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 37 pF和einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 10 nA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-23 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-30 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 400v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 52 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-30 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-31 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 35v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 55 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-31 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-37 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 45 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-37 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-38 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 600 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。Die Relais verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 47 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-38 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-45 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 60 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-45 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-47 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis zu 80 V Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。我们的网站是verfügen über einen hohenspitzenlaststrom von 3 A and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-47 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

SMP-74 Photo-MOSFET Relais sind Halbleiterrelais mit einer Schaltleistung von bis 400v Wechselstrom oder Spitzengleichstrom, in einem SOP (Small Out-Line), SMD (Surface Mounted Device) oder DIP (Dual in - line) Gehäuse。电子邮件:verfügen über eine geringe Ausgangskapazität von 1.3 pF and einem niedrigen Off-State Leckstrom im ausgeschalteten Zustand von 1 μA。Kein Kontaktprellen, schnelles Schalten, schmutzundurchlässig, geräuscharm, sowie stoationsest sind dabei die wikgsten Merkmale and Eigenschaften。Durch den konstanten On-Widerstand and die lange Lebensdauer eignen so SMP-74 Photo-MOSFET Relais ideal für die verschiedensten Anwendungen。

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